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创建时间:2021年12月17日

华虹半导体DT-SJ工艺平台累计出货量突破100万片晶圆

日前,华虹半导体有限公司宣布,基于Deep-Trench Super Junction(“DT-SJ”)(深沟槽超级结)MOSFET技术领域超过十年的持续研发投入和深厚技术积累,并受益于消费电子、通讯、新能源基础设施及电动汽车市场等领域长期稳定的增长,公司DT-SJ工艺平台累计出货量已突破100万片晶圆!

 

华虹半导体多年来持续深耕功率半导体市场, 拥有近20年的功率器件产品稳定量产经验。2010年公司突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题,推出拥有自主知识产权的、独特且富有竞争力的DT-SJ工艺平台。在技术上不断更新迭代,持续引领行业发展浪潮,华虹半导体已成为全球功率器件晶圆制造领域的市场领导者,并且是全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产功率MOSFET、超级结MOSFET、场截止型(FS) IGBT等分立器件的纯晶圆代工企业。

 

智能化时代,作为开关电源、马达驱动、LED驱动、电动汽车和智能电网等电源系统的核心器件,功率半导体广泛应用于电动汽车、LED照明、云计算以及绿色能源输变电等众多应用领域。随着汽车电动化进程的加速,超级结SJ、IGBT等高端功率器件市场增长预期更为强劲。华虹半导体的DT-SJ工艺,采用了独特的创新结构,功率密度、导通电阻等均达到国际领先水平;相应电压范围可以涵盖150~900V,电流范围涵盖1~100A,高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源及电动汽车充电桩等应用需求,具有非常强的竞争力,市场前景以及增长速度极为可观。

 

华虹半导体执行副总裁周卫平表示,DT-SJ工艺平台累计出货量突破100万片晶圆,标志着公司功率半导体做大做强发展达到的新里程碑。华虹半导体将以“8英寸 + 12英寸”、先进“特色IC + 高性能Power Discrete”双核引擎战略为指引,继续做精做深,推动功率半导体向更高功率密度和更低损耗方向发展,并发挥12英寸更小线宽、更佳片内均匀性等特性,加速进军高端功率器件市场,为客户提供更优质的特色工艺晶圆代工服务和绿色“芯”制造解决方案。

 

 
 

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