华虹半导体DT-SJ工艺平台累计出货量突破100万片晶圆

日前，华虹半导体有限公司宣布，基于Deep-Trench Super Junction（“DT-SJ”）（深沟槽超级结）MOSFET技术领域超过十年的持续研发投入和深厚技术积累，并受益于消费电子、通讯、新能源基础设施及电动汽车市场等领域长期稳定的增长，公司DT-SJ工艺平台累计出货量已突破100万片晶圆！

华虹半导体多年来持续深耕功率半导体市场, 拥有近20年的功率器件产品稳定量产经验。2010年公司突破了深沟槽刻蚀填充工艺的世界级难题，推出拥有自主知识产权的、独特且富有竞争力的DT-SJ工艺平台。在技术上不断更新迭代，持续引领行业发展浪潮，华虹半导体已成为全球功率器件晶圆制造领域的市场领导者，并且是全球首家同时在8英寸和12英寸生产线量产功率MOSFET、超级结MOSFET、场截止型(FS) IGBT等分立器件的纯晶圆代工企业。

智能化时代，作为开关电源、马达驱动、LED驱动、电动汽车和智能电网等电源系统的核心器件，功率半导体广泛应用于电动汽车、LED照明、云计算以及绿色能源输变电等众多应用领域。随着汽车电动化进程的加速，超级结SJ、IGBT等高端功率器件市场增长预期更为强劲。华虹半导体的DT-SJ工艺，采用了独特的创新结构，功率密度、导通电阻等均达到国际领先水平；相应电压范围可以涵盖150~900V，电流范围涵盖1~100A，高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源及电动汽车充电桩等应用需求，具有非常强的竞争力，市场前景以及增长速度极为可观。

华虹半导体执行副总裁周卫平表示，DT-SJ工艺平台累计出货量突破100万片晶圆，标志着公司功率半导体做大做强发展达到的新里程碑。华虹半导体将以“8英寸 + 12英寸”、先进“特色IC + 高性能Power Discrete”双核引擎战略为指引，继续做精做深，推动功率半导体向更高功率密度和更低损耗方向发展，并发挥12英寸更小线宽、更佳片内均匀性等特性，加速进军高端功率器件市场，为客户提供更优质的特色工艺晶圆代工服务和绿色“芯”制造解决方案。

 

 

长按关注SEMI
实现“中国半导体梦”的合作伙伴

SEMI产业创新投资平台